功  能

•  用于SiC、GaN等高温氧化工艺 

•  满足真空/气氛高温氧化工艺

重要参数

•  最大晶圆尺寸：满足6寸以下晶圆工艺要求 

•  最大载片量：50片/批 

•  最高加热温度：1500℃

装卸片方式

•  立式垂直升降 

•  立式真空密封系统